拨动开关银离子迁移测试方式

作者：品赞电子
发布时间：17-11-26 16:10
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拨动开关银离子迁移原理：

相信大家一定很少听到银离子迁移的这个名词，作为拨动开关厂家的专业销售人员也是很少遇到有这客户这样要求的。想要知道客户为什么会这样要求？那么我们就要先了解它的原理和作用，既然要做这个测试想必就是要防止一些不定因素或者产品的稳定性来考虑。
什么是银离子迁移？银迁移是指在存在直流电压梯度的潮湿环境中，水分子渗入含银导体表面电解形成氢离子和氢氧根离子。化学式：H20→H++OH-。
银在电场及氢氧根离子的作用下，离解产生银离子，并产生下列可逆反应：
在电场的作用下，银离子从高电位向低电位迁移，并形成絮状或枝蔓状扩展，在高低电位相连的边界上形成黑色氧化银。通过著名的水滴试验可以很清楚地观察到银迁移现象。水滴试验十分简单，在相距很近的含银的导体间滴上水滴，同时加上直流偏置电压就可以观察到银离子迁移现象。
银离子的迁移会造成无电气连接的导体间形成旁路，造成绝缘下降乃至短路。除导体组份中含银外，导致银迁移产生的因素还有：基板吸潮；相邻近导体间存在直流电压，导体间隔愈近，电压愈高愈容易产生；偏置时间；环境湿度水平；存在离子或有沾污物吸附；表面涂覆物的特性等。
银迁移造成旁路引起失效有以下特征：
在高湿存在偏压的情况下产生；银离子迁移发生后在导体间留下残留物，在干燥后仍存在旁路电阻，但其伏-安特性是非线性的，同时具有不稳定和不可重复的特点。这与表面有导电离子沾污的情况相类似。
银迁移是一个早已为业界所熟知的现象，是完全可预防的：在布局、布线设计时避免细间距相邻导体间直流电位差过高；制造表面保护层避免水汽渗入含银导体。对产品使用环境特别严酷的(如接近100%RH，85℃)可将整个电路板浸封或涂覆来进行保护。此外，焊接后清洗基板上助焊剂残留物，亦可防止表面有导电离子沾污。

拨动开关银离子迁移测试：

银迁移测试条件：保持开关常开状态，在常开开关端子之间施加DC 3 5V电压放置于温度85℃ 湿度85%的环境中120小时，判定标准：产品电气性能和机械性能均无异常；常开开关；端子之间PCB面无雾状物（银离子迁移产物）。
测试前：